Luogo di origine: | La Cina |
Marca: | Upperbond |
Certificazione: | CE, ISO |
Numero di modello: | Creatore |
Quantità di ordine minimo: | 2 pc |
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Prezzo: | Negotiable |
Imballaggi particolari: | Cartone |
Tempi di consegna: | 5-8 giorni |
Termini di pagamento: | T/T, Western Union, MoneyGram, Paypal |
Capacità di alimentazione: | 10000 pc/mese |
Bordo affilato: | Nessuno | Qty. su ogni macchina: | 1 |
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Campione: | Soltanto una volta fatto pagare | Altri modelli: | Skoda, CME, Sasib |
Posizione: | Garniture | Trasporto del mare: | Con i più grandi ordini soltanto |
Evidenziare: | Parti elettriche dell'imballatore della sigaretta,Re Size Irfz 44ns dell'imballatore della sigaretta,Pezzi di ricambio della sostituzione dell'imballatore della sigaretta |
Imballatore della sigaretta di Electric Part Of del modello di Mark King Size Irfz 44ns del bambino
Un transistor è un dispositivo a semiconduttore utilizzato per amplificare o commutare i segnali elettronici e la corrente elettrica. I transistor sono uno degli elementi di base di elettronica moderna. È composta solitamente di materiale a semiconduttore con almeno tre terminali per il collegamento ad un circuito esterno.
Caduta di tensione
L'immagine rappresenta un transistor bipolare tipico in un circuito. Una tassa entrerà fra l'emettitore ed i terminali di collettore secondo la corrente nella base. Poiché internamente i collegamenti dell'emettitore e della base si comportano come un diodo a semiconduttore, una caduta di tensione si sviluppa fra la base e l'emettitore mentre la corrente di base esiste. La quantità di questa tensione dipende dal materiale che il transistor è fatto da e si riferisce a come VBE.
Importanza
I transistor sono i componente attivi chiave in praticamente tutta l'elettronica moderna. Molti considerano così il transistor come una di più grandi invenzioni dello XX secolo.
L'invenzione del primo transistor a Bell Labs è stata nominata una pietra miliare di IEEE nel 2009. La lista delle pietre miliari di IEEE inoltre comprende le invenzioni del transistor di giunzione nel 1948 e del MOSFET nel 1959.
Fabbricazione in serie
Negli anni 50, l'ingegnere egiziano Mohamed Atalla ha studiato le proprietà di superficie dei semiconduttori del silicio a Bell Labs, dove ha proposto un nuovo metodo di montaggio del dispositivo a semiconduttore, ricoprenti una lastra di silicio di strato isolante dell'ossido di silicio in modo che l'elettricità possa penetrare attendibilmente al silicio di conduzione qui sotto, sormontante gli stati di superficie che hanno impedito l'elettricità il raggiungimento dello strato semiconduttore. Ciò è conosciuta come passività di superficie, un metodo che è diventato critico all'industria a semiconduttore come più successivamente ha reso possibile la produzione di massa dei circuiti integrati del silicio.
Persona di contatto: Kiana
Telefono: +8613824425740
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